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紅外線加熱裝置

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 紅外線加熱裝置 
 

 我國從20世紀(jì)60年代開始對(duì)紅外線加熱裝置進(jìn)行了研究、開發(fā)和應(yīng)用。雖然起步較晚,但并不影響紅外線加熱裝置的發(fā)展進(jìn)程。我國著名的紅外線加熱技術(shù)老前輩湯定元、吉林大學(xué)候蘭田教授、中科院上海硅酸鹽研究所的夏繼余等人在遠(yuǎn)紅外線的理論研究方面取得了巨大的成果。天津大學(xué)褚治德教授率先建立了國內(nèi)第一座多用途實(shí)驗(yàn)室遠(yuǎn)紅外干燥爐,在工程理論、應(yīng)用性研究方面獨(dú)樹一幟。近幾年山東大學(xué)朱波等研制的碳纖維加熱管也已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。   4.1碳化硅陶瓷加熱器 
  碳化硅陶瓷加熱板是我國在20世紀(jì)60年代研究開發(fā)的產(chǎn)品[7]。其形狀有平板狀、波浪狀兩種,由于波浪狀的輻射面積大,因而使用較多。圖1是波浪板式輻射元件的結(jié)構(gòu)示意圖,其主要特點(diǎn)是輻射面積大、輻射強(qiáng)度高并且均勻。但這類元件的機(jī)械性能一般較脆,不耐撞擊和振動(dòng)并且安裝檢修較麻煩射面積大,因而使用較多。圖1是波浪板式輻射元件的結(jié)構(gòu)示意圖,其主要特點(diǎn)是輻射面積大、輻射強(qiáng)度高并且均勻。但這類元件的機(jī)械性能一般較脆,不耐撞擊和振動(dòng)并且安裝檢修較麻煩[8]。
        圖1波浪板式遠(yuǎn)紅外線輻射元件    碳化硅可分為天然和人造兩種,為六角晶體,色澤有黑色與綠色兩種,具有很高的硬度,熔點(diǎn)為2600℃(分解升華),熱導(dǎo)率隨溫度的增加而減少,從室溫的λ=489.8W/(m·K)到500℃時(shí)的50.2W/(m·K),降低一個(gè)數(shù)量級(jí),熱膨脹系數(shù)α相當(dāng)鎳鉻絲的1/3左右。碳化硅加熱器的表面溫度600℃以下熱響應(yīng)較慢,升溫時(shí)間長,但熱穩(wěn)定性好。   4.2金屬管式遠(yuǎn)紅外加熱器    氧化鎂管式加熱器的結(jié)構(gòu)如圖2所示。在管的中心是電熱絲,在管的基體與電熱絲的中間填充了氧化鎂粉末,在基體上涂了一層遠(yuǎn)紅外輻射涂層。它的機(jī)械強(qiáng)度較高、安裝維修方便、質(zhì)量較輕、加熱速度快,在基體與電熱絲之間填充的氧化鎂粉末,可防止氧氣進(jìn)入使得電阻絲氧化,提高了加熱裝置的使用壽命。它的輻射面積小,若是長期使用,遠(yuǎn)紅外輻射涂層容易脫落

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